TrendForce集邦询问:2025年AI需求强劲,预计2026年整体电子产业增长动能趋...

〖壹〗、TrendForce集邦询问预测2025年AI需求强劲，2026年整体电子产业增长动能趋缓 ，进入低速调整期，具体分析如下：2025年电子产业市场分化特征显著 AI Server需求一枝独秀：由数据中心建置驱动
，出货量预计年增逾20%。

〖贰〗 、TrendForce集邦询问将2025年全球AI服务器出货量年增幅从原预期下调至23%，但仍维持双位数增长 。

〖叁〗、截至2026年7月 ，电脑涨价潮已持续6个月
，预计整体涨价情况将持续至2027年下半年，消费者还需等待16-20个月才能迎来费用回落。 产能层面：存储芯片巨头当前扩大的产能主要定向AI服务器 ，短期内难以分流至消费级市场；TrendForce集邦询问预计2027年全球DRAM产能增长中
，消费级存储产能增长有限
。

TrendForce集邦询问:库存去化影响1Q25前五大企业级SSD品牌的营收,待AI需...

〖壹〗
、行业趋势总结短期库存压力导致企业级SSD市场经历调整，但AI算力升级与数据中心扩容需求构成长期支撑。厂商技术路线分化显著：三星、美光强化高端PCIe 0布局 ，SK集团加速QLC技术迭代
，SanDisk则通过超大容量产品抢占细分市场 。第二季度或成为市场拐点，AI驱动的存储需求将重新定义行业格局
。

〖贰〗 、TrendForce集邦询问预测2025年AI需求强劲 ，2026年整体电子产业增长动能趋缓
，进入低速调整期，具体分析如下：2025年电子产业市场分化特征显著 AI Server需求一枝独秀：由数据中心建置驱动 ，出货量预计年增逾20%。

〖叁〗
、Kioxia（铠侠）营收表现：营收26亿美元，仅季减0.2%
，排名第三 。

〖肆〗、Kioxia/SanDisk（铠侠/闪迪）：因业务集中于NAND Flash且缺乏DRAM业务平衡，减产对营收冲击较大 ，但仍计划跟进
。Samsung（三星）：尽管在企业级SSD等领域保持领先
，但受中国市场加剧竞争和技术转型过渡期影响，库存压力攀升 ，计划减产。

〖伍〗 、Micron（美光）：营收维持与前一季水平
，为17亿美元，市占率10% ，排名第三 。

集邦询问研究显示第三季DRAM费用跌幅扩大至近10%

集邦询问研究显示
，第三季DRAM费用跌幅扩大至近10%，主要因消费性需求转弱
、库存压力转移至卖方 ，以及部分供应商降价去库存所致
。若原厂竞相降价
，跌幅可能进一步扩大。需求端疲软是核心驱动因素今年上半年，全球消费性需求（如PC、智能手机等）快速转弱 ，导致DRAM下游采购意愿降低 。

需求端疲软是库存去化的核心驱动因素消费性电子需求持续萎缩根据集邦科技（TrendForce）数据，消费性电子领域DRAM合约价跌幅扩大至10%-15%
，终端市场需求下滑直接冲击DRAM拉货动能
。手机 、PC等消费电子产品出货量下降，导致相关DRAM库存积压 ，厂商被迫进入去库存周期。

第三季费用跌幅已显著扩大：根据TrendForce集邦询问数据
，第三季NAND Flash wafer费用跌幅达30-35% 。这一剧烈下跌反映了卖方为清理库存的激进定价策略，但终端产品需求仍未回暖 ，进一步加剧了库存积压。

根据TrendForce集邦询问的研究
，随着服务器需求复苏及DRAM供应商HBM生产比重提升，DRAM市场预计在第三季度迎来涨价潮 ，整体均价涨幅为8%至13%
，第四季度费用有望继续上涨
。以下是具体分析：第三季度DRAM市场涨价的核心驱动因素通用型服务器需求复苏 服务器市场进入备货旺季，带动存储器出货量增长。

TrendForce集邦询问:预估2025年第一季MLCC供应商出货总量为11,467亿颗...

025年第一季度MLCC供应商出货总量预估超11 ，467亿颗
，季减3%，主要受高利率抑制消费及提前出货需求波动影响 ，AI基建需求成唯一增长亮点，但整体供过于求格局未改 。出货总量及季度变化原因总量预估：TrendForce集邦询问预估2025年第一季度MLCC供应商出货总量为11
，467亿颗以上，环比减少3%
。

TrendForce集邦询问预估2025年笔电品牌出货成长率将下修至4% ，主要受世界形势不确定性
、关税政策变化及供应链调整等因素影响。

导致需求波动 。TrendForce集邦询问指出
，2024年MLCC产业低速成长预期下，供应商需平衡市场份额与利润目标
。

全年预估：TrendForce集邦询问乐观预估全年笔电面板出货量将达49亿片 ，年增长5%。

集邦询问关于存储费用的预测

宏观经济环境关联宏观经济形势对存储费用预测至关重要 。在经济繁荣时期
，各行业对存储的需求增长，存储费用往往有上升趋势
。例如全球经济扩张阶段 ，企业投资增加
，数据中心建设加速，对服务器内存等存储产品需求旺盛。相反 ，在经济衰退期
，需求下降，存储费用可能面临下行压力 。汇率波动也会影响存储费用
。

集邦询问会综合多方面因素来对存储费用进行预测。从市场供需角度来看 ，如果存储芯片的需求增长速度超过供应增长速度，那么费用往往有上升趋势 。例如
，在一些新兴科技领域如5G手机普及、物联网设备大量增加等带动下，对存储芯片需求增加 ，若供应未能及时跟上
，集邦询问可能会预测存储费用上涨。

根据TrendForce集邦询问的研究，随着服务器需求复苏及DRAM供应商HBM生产比重提升 ，DRAM市场预计在第三季度迎来涨价潮
，整体均价涨幅为8%至13%，第四季度费用有望继续上涨
。以下是具体分析：第三季度DRAM市场涨价的核心驱动因素通用型服务器需求复苏 服务器市场进入备货旺季 ，带动存储器出货量增长。

数据支撑：集邦询问预测DRAM整体平均合约价环比下跌8%~13%
，细分领域跌幅因应用场景和需求结构差异呈现分化 。市场整体趋势与厂商压力费用下行周期确立：NAND Flash与DRAM费用双双下跌，反映存储芯片市场进入周期性调整阶段 ，供需关系逆转是主因
。

DDR3供给加速下滑
，第二季费用预计上涨0~5%，主要受供给减少和需求改善的双重影响。供给方面：韩厂加速退出：三星（Samsung） 、SK海力士（SK hynix）等韩国存储器厂商逐步减产DDR3 ，并计划陆续结束1/2Gb
、4Gb等DDR3相关产品的生产周期（EOL） 。这导致DDR3的供给量显著减少
。